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给 GaN (氮化镓) 沉积带来不利影响，从而使得该材料在高质量led应用方面受到限
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:20:04
当然GaN与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
而激光剥离装置“ux4-leds llo150”用于从蓝宝石(al2o3)基板上剥离氮化镓(GaN)膜，实现蓝宝石基板的重复利用
https://www.alighting.cn/news/20110722/115088.htm2011/7/22 10:33:30
且提高其效率。(所有图片来源：伊利诺大学)使用产业内标准的半导体长晶技术，研究人员在硅基板上制造氮化镓(GaN)晶体，这种晶体能够产生高功率的绿光，应用于固态照
https://www.alighting.cn/news/20160803/142500.htm2016/8/3 9:46:58
中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n
https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36
基于白光发光二极管技术的迅速发展以及荧光粉对白光led器件的发光效率、显色性和使用寿命等性能的决定性影响,系统阐述了蓝光led芯片激发用铝酸盐、硅酸盐、氮化物和氮氧化物系列黄色
https://www.alighting.cn/resource/20121222/126242.htm2012/12/22 18:05:07
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy)，强化产品效能、延长使
https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28
strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出，目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长，这将推动类似GaN和aln等先进衬底市
https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00
