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商的势头将更为强烈。 2011年末，美国英特美被日本三菱化学控告，侵犯其氮化物红色荧光粉的专利，凸现了知识产权的重要性。因此，2012年，谁拥有专利、且产品性价比好，谁就占据了主动
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2012/2/7/263748.html2012/2/7 22:37:47
随着设备技术不断的提升下，松本功博士认为，每四年movpe的产能就实现一次倍数成长。此外，他认为gan-on-si必定是未来发展的技术之一。
https://www.alighting.cn/news/201226/n075734817.html2012/2/6 14:44:53
科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化矽肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20120206/122771.htm2012/2/6 10:01:21
ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年gan led封装收入比去年减少6%，预计gan led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖，并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263057.html2012/1/29 23:32:04
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263054.html2012/1/29 23:31:54
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
