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今年底上海蓝光led芯片年产能有望突破300亿颗

上海蓝光主要经营氮化led磊芯片及芯片的研发制造,早期生产量少,从2007年彩虹集团入股后开始扩大产能,2009~2011年mocvd机台从12台扩大到50台,其中,30台位

  https://www.alighting.cn/news/20111110/114347.htm2011/11/10 9:22:37

盘点led照明领域五大专家-新世纪led网

件、w77%rb led驱动电路与电源等方面的研究,发表多篇学术论文,获得研究成果,如氮化基蓝、绿色led器件制备的关键技术研究,白色大尺寸led研究、新型半导体节能路灯、超

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/11/8/251040.html2011/11/8 21:13:43

压电—光电效应,可使led光电转化率提升约4.25倍

新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n,氮化薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下,使发光强度提升17

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

探秘:硅上氮化(gan)led

硅上氮化(gan)led的优点是不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

亿光启动无薪假制度 明年锁定led照明

自台湾led厂商广要求员工从十月起,每月多休五天,没积假可休就改扣薪,部分员工面临无薪假情况后,近日,亿光电子事长叶寅夫也证实亿光将启动无薪假制度,预计自11月开始持续2个月。

  https://www.alighting.cn/news/20111027/n294035270.htm2011/10/27 8:53:28

大功率led设计法则

本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;

  https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24

delta掺杂技术,提高氮化物led的抗静电能力

中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gan作为n型覆层,显著提高了氮化物led的抗静电能力,这个改善是因为外延gan材料晶体质量的改善和器件电流扩

  https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46

中山大学采用delta掺杂技术提高氮化物led的抗静电能力

delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下,通过选择性打开或者关闭三甲基和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后,led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上,而

  https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53

三星称能用普通玻璃生产超大尺寸led面板

三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化(gan),这是一个重要的里程碑

  https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44

高性能氮化晶体管研制成功

此前,氮化只能用于(111)-硅上,而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明,新晶体管能同由(11

  https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29

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