站内搜索
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不同
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步
https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28
在led照明市场的强劲驱动下，也带动led驱动市场成长，led驱动规模逐渐攀升，据市场研究机构预测，led驱动ic市场营收规模将由2010年的近20亿美元，在2015年达到近35亿
https://www.alighting.cn/pingce/20141030/121529.htm2014/10/30 9:30:29
结果表明,理论计算值与热仿真结果基本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。
https://www.alighting.cn/2015/1/5 12:12:11
基于控制器ic的可调光led驱动器通常采用的调光方式有两种，即数字pwm调光和模拟dc电压调光。基于相位控制的triac传统白炽灯和卤素灯调光器若用于led的调光控制，会产生100
https://www.alighting.cn/2014/1/2 10:20:23
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
该系列led照明解决方案提供更高品质的出光效果，其特色为：解决一般led光斑问题，拥有更好的色彩均匀性，和优异的单位面积流明输出，所以能提供高品质的光源来取代传统照明的光源。
https://www.alighting.cn/news/2011429/n440031724.htm2011/4/29 15:31:33
线性方案是指用线性调整器来实现对led电流的控制。线性调整器，顾名思义，主要原理是使用开关管的放大区间进行平衡输入电压影响来进行恒流调整器控制器(传统开关控制是开关控制状态)，有点
https://www.alighting.cn/resource/20160513/140198.htm2016/5/13 9:55:52
