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除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
c，即可通过一个pwm信号、dc电压或外部nmos晶体管来完成调光操作，调光范围可高达3000:1。 最后，车载电子产品可能对噪声很敏感，尤其是导航系统、无线电路和am无线电波段接
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261417.html2012/1/8 21:27:47
年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11
有的应用于笔记本或桌面系统的lcd都使用薄膜晶体管（tft）激活液晶层中的单元格。tft lcd技术能够显示更加清晰，明亮的图象。早期的lcd由于是非主动发光器件，速度低，效率差，对比
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261429.html2012/1/8 21:28:20
d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31
向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262588.html2012/1/29 0:31:54
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262600.html2012/1/29 0:32:51
