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通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活性
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
以GaN基蓝光led芯片为基础光源制备了大功率蓝光led,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。
https://www.alighting.cn/resource/2007928/V12818.htm2007/9/28 14:34:30
江风益教授研究团队的“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖，实现了江西省在该项奖励“零”的突破。
https://www.alighting.cn/pingce/20170224/148437.htm2017/2/24 9:50:09
以下对功率型GaN基led光电器件覆晶倒装焊产业技术进行研究，介绍led光电的发展历程、产品应用、研究方法、技术路线以及解决的关键问题。
https://www.alighting.cn/resource/20160106/136049.htm2016/1/6 14:02:39
https://www.alighting.cn/news/2007928/V12818.htm2007/9/28 14:34:30
上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。
https://www.alighting.cn/news/20140605/86888.htm2014/6/5 9:13:57
2006年9月5日，《nature materials》杂志十月刊中的一篇文章(由中村修二(shuji nakamura)合著)将介绍GaN基蓝光led的亮度比一些被看好的材料所
https://www.alighting.cn/news/20060906/102776.htm2006/9/6 0:00:00
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对GaN材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
