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在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
美国bridgelux近日宣布，将强化和扩展其与日本toshiba在技术策略层面上的合作。
https://www.alighting.cn/news/20130524/112357.htm2013/5/24 10:03:28
、2012年已经比以往更为成熟，近年来也开始导入农业照明应用，利用led光源与环境控制特性的植物工厂，成为近年来各大厂亟欲切进的利基型市场，结合led照明将可让农作物、植物或花卉的收
http://blog.alighting.cn/zhenghuigs1/archive/2013/5/24/317829.html2013/5/24 9:01:30
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
与环境控制特性的植物工厂，成为近年来各大厂亟欲切进的利基型市场，结合led照明将可让农作物、植物或花卉的收成期缩短，加上适当地环境控制，不但可以预防虫害，并且免于使用农药或减少农药使
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/5/22/317770.html2013/5/22 17:04:11
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
除了从系统角度强化散热性能外，随着led照明的应用普及，对于散热基板的要求日趋严苛，led基板材料及技术在近年的开发也有所进展，目前最新的趋势是对于硅基氮化
https://www.alighting.cn/news/2013520/n872051857.htm2013/5/20 10:16:28
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
