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源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279535.html2012/6/20 23:07:24
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不均匀。 2.片光电参数配合：半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强)和电学(
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279497.html2012/6/20 23:06:36
、采用更大尺寸晶圆制作工艺，也在不断的降低成本，近年来每年在以20%速度降低中，如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%~30%，led照明的应用会上到一个新数量级市场规
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279489.html2012/6/20 23:06:25
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
是将精密机械氧造概念引入半导体氧程中,以自行设计的设备,结合反射镜及低温热压式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279461.html2012/6/20 23:05:41
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和inGaN晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
们没有掌握核心技术，尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。 led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺，会不断的降低成
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279432.html2012/6/20 23:05:03
等。对于儿童和部分光辐射敏感人群，由于眼晴结构中各部分的光学特性的差异以及对光损伤的敏感性的不同，安全阈值仍在进一步规范之中(见图1)。 目前，GaN蓝光led及其涂荧光粉的白光
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279349.html2012/6/20 14:32:33
