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针对由大功率lEd组合构成的lEd灯具的特性，选择照度和发光均匀性作为需要测试的lEd灯具的光学特性指标，提出这两个检测指标的测量设计方案；并考虑灯具发热对其光学特性的影响，采
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126669.htm2012/3/14 10:53:29
此文详尽地分析大功率lEd的发热问题并提出几种有效可行的散热解决方案。结合lEd热管散热器的原理结构对其传热机理、传热路线和各传热阶段的热阻进行离开定性分析和定量分析，从而建
https://www.alighting.cn/resource/2013/3/19/144131_37.htm2013/3/19 14:41:31
最佳的温度保护居里点温度应该是80-90℃。最高环境温度，夏天40℃，在夏日光暴晒50℃，50℃为最高环境温度，一般大功率lEd结温度在120℃是可以承受的，芯片到铝基板的热
https://www.alighting.cn/resource/2008725/V16733.htm2008/7/25 10:43:51
https://www.alighting.cn/news/2008725/V16733.htm2008/7/25 10:43:51
6月12日，晶能光电(江西)有限公司新一代硅基大功率lEd芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28*28、35*35、45*45和55*55在内的四款硅
https://www.alighting.cn/news/2012627/n168540848.htm2012/6/27 16:58:02
日前，由留美博士创业团队创立的晶瑞光电，正式推出两款高光效陶瓷封装大功率lEd产品x3和x4。这两款产品分别采用了硅衬底垂直结构大功率lEd芯片和flIP chIP 芯片。
https://www.alighting.cn/news/2013716/n984553830.htm2013/7/16 11:29:41
永丰金证券表示，lEd nb渗透率提升，情况更为可观。
https://www.alighting.cn/news/20080219/92998.htm2008/2/19 0:00:00
本文针对目前封装大功率lEd芯片所采用的cob工艺进行分析，提出三种cob方法。一种把芯片直接键合在铝制散热器上，另外两种分别把芯片键合在铝基板上和铝基板的印刷线路板上，制作三
https://www.alighting.cn/2012/3/22 10:29:35
本资料来源于2014新世纪lEd沙龙深圳站，由技术分享嘉宾——来自深圳市超频三科技有限公司 工程总监 文孔良主讲的关于介绍《大功率lEd散热方案》的讲义资料，现在分享给大家，欢
https://www.alighting.cn/resource/20140311/124794.htm2014/3/11 10:51:48
以两种不同型号的大功率白光lEd为研究对象,通过热阻法和正向压降法综合测量lEd的结温,利用荧光光度计测量lEd光谱,研究大功率白光lEd的结温与光谱之间的关系。结果发现对于不
https://www.alighting.cn/2013/3/20 11:21:05
