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零,说明内部击穿短路。若正、反向电阻均为无穷大,证明内部开路。需要说明两点：第一,对於同种材料的管芯,由於所掺杂质的不同,发光??色亦不同；第二, LEd 属於电流控制型器件, v
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一、全面考虑性能参数半导体发光二极管(LEd)因其体积孝定向发射光、高亮度、pn结电特性等特点,从而在品质的评价和检测方法方面产生许多新的问题。不同的应用场合,决定了对LEd产
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230097.html2011/7/18 23:44:00
LEd照明器具由LEd光源、电器附件和器具组成。它采用半导体发光的器件作为光源,具有体积孝寿命长、能耗低、瞬时启动、颜色丰富等特点,是一种环保节能的冷光源。近年来,美国、日本、
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LEd测试的基本概念：「正向电压」通过发光二极体的正向电流为确定值时,在两极间产生的电压降。「反向电流」加在发光二极体两端的反向电压为确定值时,流过发光二极体的电流。「峰值波长
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230096.html2011/7/18 23:43:00
LEd应用产品尤其是半导体照明产品对大功率LEd需求越来越旺,同时对LEd的品质要求也越来越高,其主要表现在以下7个方面：1.正向电压测试：正向电压的范围需在电路设计的许可范围
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230095.html2011/7/18 23:42:00
LEd频闪效应指的是两个概念。一是频闪：即电光源光通量波动的深度,波动深度越大,频闪深度越大。二是频闪效应：即电光源频闪在人视觉上产生的负效应。频闪深度越大,负效应越大,危害越严
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上述的讲法听来有些让人疑惑,今日不是一直强调LEd的亮度突破吗？2003年lumiLEds lighting公司roland haitz先生依据过去的观察所理出的一个经验性技术推
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
1)LEd单芯片封装LEd在过去的30多年里,取得飞速发展。第一批产品出现在1968年,工作电流20ma的LEd的光通量只有千分之几流明,相应的发光效率为0.1 lm/w,而且只
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
防爆灯具的其中一个非常重要的防爆原理就是限制与爆炸性气体、爆炸性粉尘接触的外壳表面、零部件表面或电子元器件表面的温度以及限制电气接触表面温度低于其最小点燃温度或引燃温度。LEd防
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对于制作LEd芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LEd器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：?;蓝宝石(al2o
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