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以在不同材质的基板上制造，令它在外形设计上
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133843.html2011/2/19 23:26:00
n led外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)衬底上成功生长出了高质量的ingan mqw蓝光led外延片，x射线双晶对称和非对称摇摆曲线的半高宽已经达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。 三、表面微结构技术 表
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料:基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等 磊晶( mocvd / mbe / lpe / vpe )、晶粒产
http://blog.alighting.cn/zhuli562898/archive/2011/5/17/179029.html2011/5/17 15:19:00
r), 晶粒(chip) ◙ 制程设备及材料：基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等 ◙ 磊晶( mocvd / mbe / lpe / vpe )、晶粒产品( 扩散
http://blog.alighting.cn/sumei125/archive/2011/5/18/179280.html2011/5/18 14:36:00
出范围】 ● led元件及材料：led芯片、外延片、led荧光粉、有机硅、基板等 led封装/模块 led灯、smd led、大功率led等 ● led半导体照明
http://blog.alighting.cn/cioe0011/archive/2011/6/3/187230.html2011/6/3 11:48:00
粒(chip)? 制程设备及材料：基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等? 磊晶( mocvd / mbe / lpe / vpe )、晶粒产品( 扩散/ 金属蒸镀/ 蚀刻
http://blog.alighting.cn/sales7/archive/2011/6/20/222126.html2011/6/20 9:25:00
c110v功率在3.3w～4w，工作电流40ma;用于ac220v功率在3.3w-4w，工作电流20ma(图4)。led晶粒直接邦定在铜铝基板上。引脚如图5所示。 图4首尔半导
http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00
r), 数字型(digital),点矩阵型(dot matrix), 表面粘着型(smd)等磊晶片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料基板, 单晶棒, 萤光粉, 环
http://blog.alighting.cn/wanshengzhanlan/archive/2011/7/5/228639.html2011/7/5 16:08:00
准灯头。该装置不能直接与分支电路连接。 led 阵列或模块（led array or module）：在印刷线路板或基板上的led封装（元件）或晶片的组件，可能带有光学元件、附
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/13/229614.html2011/7/13 19:19:00
