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光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜,通电后该薄膜发出的蓝 光与基板znse作用发出互补的黄光,从而形成白光光源。美国boston大学光子研究中心用同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
质的基板上制造，令它在外形设计上可以做出各种各样的弯曲形状的柔软显示设备，来配合各种需要。此外，在oled器件的单个像素中，其尺寸可以相当小，并且还预留了很大的空间减幅潜力，令它特
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230294.html2011/7/19 23:46:00
多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ganled外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
端最大电压有不同的要求。在测试前需要确认无绝缘的带电部件必须固定在基板或配件表面，不能因产生回旋或位移而导致可接受的最小间距较少，同时会引致电击危险的带电部件必须被围起或置于减少
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/8/15/232394.html2011/8/15 21:24:00
w，工作电流40ma；用于ac220v功率在3.3w-4w，工作电流20ma（图4）。led晶粒直接邦定在铜铝基板上。引脚如图5所示。图4：首尔半导体的ac led图5：ac led引
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233114.html2011/8/20 0:04:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。 三、表面微结构技术 表
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22
块(ledarrayormodule)：在印刷线路板或基板上的led封装(元件)或晶片的组件，可能带有光学元件、附加的热、机械和打算连接到led驱动器负载侧的电气接口。该装置不含电源和标
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/5/8/273898.html2012/5/8 15:54:58
