站内搜索
日前，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
须制备高质量的金属-zno接触。本论文采用脉冲激光沉积(pld)薄膜外延生长技术,制备并系统地研究了金属-zno薄膜的接触特
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
发光二极体(led)厂7月份营收较6月回温，有机会从穀底翻扬。带动近几个月跌深的类股反弹格局持续，外延龙头晶电(2448)昨(13)日除权首日上涨2.43%，涨幅相对落后的华
https://www.alighting.cn/news/20080814/106474.htm2008/8/14 0:00:00
件、led封装、led荧光粉、外延、大功率led、新型材料”等主题，给会场观众讲述了各类led前沿技
https://www.alighting.cn/news/20110621/109030.htm2011/6/21 11:16:37
在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时，用来生长晶体的各组份和掺杂剂，都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量，在衬底上外延出特定组份、特
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的l
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
