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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

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4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

三安光电推出6款新led产品芯片 技术领先国内

三安光电在深圳召开新产品推介会,公司表示,此次推出的六款led芯片新产品较2009年产品相比光效呈现近20%的提升,产品稳定性及其他各项技术指标均有明显改善,具备国内领先、国际先

  https://www.alighting.cn/pingce/20100929/123244.htm2010/9/29 9:26:03

cree照明级多芯片组件新品xlamp? mp-l 和mc-e取得技术性突破

技术的创新在于将照明级的高光效与传统白炽灯的色彩一致性优势完美结合在一起,能为每种色温提供单一的双步阶麦克亚当椭圆分档,从而不再需要购买多个小分档就能实现复杂的色彩混合。

  https://www.alighting.cn/resource/20100805/127923.htm2010/8/5 10:15:48

led与led电源的技术特点介绍

《led与led电源的技术特点介绍》主要内容:一、led及其特点;二、led电源技术;三、led电源设计要点。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/8/19/162344_93.htm2011/8/19 16:23:44

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