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极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271420.html2012/4/10 21:43:01
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271417.html2012/4/10 21:42:52
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271167.html2012/4/10 20:58:52
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
碳钢带来冲压led支架徘，铁的支架排要经过镀银，镀银有两个作用，一是为了防止氧化生锈，二是方便焊接，支架排的电镀质量非常关键，它关系到led的寿命，在电镀前的处理应严格按操作规程进
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271122.html2012/4/10 17:21:37
是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
元以上。另值得关注的是，普瑞光电矽基氮化镓led将于明年正式启动委外量产，此新技术对未来led产业的影响性，各界亦格外关
https://www.alighting.cn/news/20120405/85479.htm2012/4/5 10:27:11
片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
好的发展前景： ①国内一些企业拥有核心知识产权，如晶能光电的硅衬底氮化镓蓝光项目，大连路美的芯片领域核心技术，都具有全球竞争力，这些企业在技术发展上容易形成示范效应，促进国内企业市
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/4/1/270008.html2012/4/1 13:24:50
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
