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美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.（tdi）日前宣布，该公司推出4英吋，约100毫米的GaN磊外延片和al
https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00
a barbara；ucsb）非极性GaN材料研究团队，日前宣佈该团队研发出的蓝紫光inGaN le..
https://www.alighting.cn/news/20070510/106256.htm2007/5/10 0:00:00
松下在“electronica 2014”上展示了用于汽车前灯的白色led。松下的白色led的特点是，蓝色led芯片是在GaN基板上制造的。与通常的蓝宝石基板相比，更容易提高电
https://www.alighting.cn/news/20141120/110405.htm2014/11/20 19:21:03
对“用于GaN的生产型mocvd”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型GaNmocvd设备控制系统的特点;分析了mocvd设备控制技术的发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44
目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
β-ga2o3不仅可用于功率元件，而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等，应用范围很广。其中，使用GaN类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
灯。 van de walle教授和他的同事们正在改进高效能，无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00
相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中，用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化物
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
