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基于mems的led芯片封装光学特性分析

本文提出了一种基于mems的led苍片封装技术,利用体工艺在基上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响,分析结果表明废反射

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34

精彩回顾led行业技术的发展正处于‘婴儿期’

高效率的绿光led技术、超高效率的黄光led技术等,形成未来市场竞争优势。led产业是我国为数不多的,与国际先进水平差距不大的产业,特别是衬底led技术,该技术国际上普遍看好。其

  http://blog.alighting.cn/weleddianyuan/archive/2013/3/21/311503.html2013/3/21 19:25:48

科锐宣布量产第二代碳化 mosfet器件显著降低电源转换系统成本

碳化(sic)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化mosfet器件。相对于同等成本的基于器件的系统,科锐新型碳化mosfet器件可实现更高的系统效率及更

  https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13

littelfuse电源控制设备拓展照明频谱使用范围

今日,littelfuse公司推出q6008lh1led/q6012lh1led系列三端双向可控和q6008lth1led/q6012lth1led系列quadrac晶闸管电

  https://www.alighting.cn/pingce/20130319/121902.htm2013/3/19 16:49:13

科锐第二代碳化矽功率mosfet实现量产

科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化 (sic) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的解决方案。这

  https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09

科锐推出第二代sic功率mosfet

科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化 (sic) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的解决方案。这新型1200v耐压功

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

中微公司首次进入半导体照明市场

推出低成本高产能的mocvd设备,用于发光二极管、基氮化镓生产  上海2013年3月14日电 /美通社/ -- 在下周即将举行的 semicon china 展会期间,中微半导

  http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/3/14/310903.html2013/3/14 15:10:01

提高发光二极管中gan_材料质量的技术研究

本论文目标就是以方法简便为原则,探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中,我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜

  https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11

勤上led灯具照亮人民大会堂

在人民大会堂万人礼堂的灯光改造中,勤上光电使用210w、110w、60wled灯具分别替代原来1000w、500w、300w白炽灯,沿用原来的可控调光模式,开灯关灯整齐一致性

  https://www.alighting.cn/news/201338/n166949496.htm2013/3/8 10:25:43

重庆超led蓝宝石投产 年产值达37亿元

经过一年多建设,两江新区重大高新技术产业项目重庆超2~6英寸led用蓝宝石及8英寸集成电路用片抛光项目一期在水土高新园正式投产。从两江新区获悉,该项目全部达产后年产值将达3

  https://www.alighting.cn/news/201337/n078849473.htm2013/3/7 10:18:47

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