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源取代传统真空光源如同晶体管取代传统真空电子管一样是破坏性技术创新，将引起照明领域的一场革命。本文的主要工作是研究白光led及相关的工艺技术，取得的成果颇丰，详见文
https://www.alighting.cn/resource/2012/1/12/161459_04.htm2012/1/12 16:14:59
gt advanced technologies(gtat)是多晶硅生产技术、蓝宝石和硅晶体生长系统以及相关材料的全球领先供应商，公司业务主要由solar、le
https://www.alighting.cn/news/20120112/114639.htm2012/1/12 9:58:35
随着半导体行业逐步逼近晶体管集成尺寸的极限，为了在愈加紧凑的空间内融入新功能，设计工程师必须在数字域之外寻求机会。maxim从战略角度出发，为移动设备和家庭互联应用提供前所未
https://www.alighting.cn/pingce/20120111/122966.htm2012/1/11 9:59:19
0 ） 。 普通调光器大多只适用于热辐射光源的调光。气体放电灯用的调光器结构较为复杂。如荧光灯调光器，采用阻抗可变式电路或改变输入电压等方法调光,调光范围太小。若使用大功率晶体管或场效应
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261928.html2012/1/8 22:46:20
终还是用鳍片散热。而且鳍片和热管的接触点反而不如其它方式接触好。导致的结果是成本高了，散热效果没有得到改善。不过热管要用在集成的led上导热还是有用的，但要结构合理！ 3.迷信纳
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261643.html2012/1/8 22:26:33
向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
属线熔化、发热、高功率、闩锁效应其可见性不强损坏位置不易发现,短的eos脉冲损坏看起来像esd损坏通常导致晶体管级别的损坏。四、静电防护1.设定静电区域说明:在生产现场设定静电敏
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261542.html2012/1/8 21:49:00
d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50
点为：● 具有８通道功率ｄｍｏｓ晶体管输出，每个通道可连续输出１５０ｍａ的电流；● 各输出回路导通电阻低至５ω；● 每个输出通道典型限定能力为５００ｍａ；● 输出端为ｏｃ门形式，外
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261464.html2012/1/8 21:39:05
