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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

零折射率超材料让光速在芯片上“无限大”

最近,美国哈佛大学科学家首次设计出一种折射率为零、能整合在芯片上的超材料,光在其中的速度可以达到“无限大”。这一成果为探索零折射率物理学及其在集成光学中的应用打开了大门。这种零折

  https://www.alighting.cn/pingce/20151125/134464.htm2015/11/25 10:34:22

led上游芯片厂cree财报、财测均优

发光二极管(led)上游芯片制造大厂cree inc.于20日盘后公布2009会计年度第2季(2008年10-12月)财报:本业每股盈余达0.20美元,远优于thomso

  https://www.alighting.cn/news/20090121/117952.htm2009/1/21 0:00:00

6月台湾led芯片行业业绩大降33.5%

统计数据显示,2015年6月台湾6家蓝宝石基板上市上柜厂商总营收1.65亿元(单位:人民币,下同),同比减少11.9%;7家芯片上市上柜厂商总营收6.34亿元,同比减少33.5

  https://www.alighting.cn/news/20150720/131116.htm2015/7/20 10:38:28

江风益团队再结硕果 黄光led芯片让世界赞叹

衔的团队自主研发的硅衬底黄光led芯片实现突破,跃居世界领先水平,使我国led行业处于世界领跑地

  https://www.alighting.cn/news/20170123/147807.htm2017/1/23 9:55:32

利亚德子公司2400万参股led芯片材料公司saphlux

利亚德光电股份有限公司(以下简称“公司”或者“利亚德”)全资子公司利亚德(香港)有限公司(以下简称“利亚德香港”)近期与led芯片材料公司saphlux,inc.(以下简称

  https://www.alighting.cn/news/20170301/148602.htm2017/3/1 9:50:38

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