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上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。就GaN基材料
https://www.alighting.cn/news/2014729/n156664358.htm2014/7/29 10:18:51
近期，acelite采用台湾超光亮led芯片，推出led水下灯。该产品外形采用不锈钢设计，以及高强化玻璃盖，以防止水进入到该产品中，以确保该产品具有较高的防护等级（ip degre
https://www.alighting.cn/news/20090417/94232.htm2009/4/17 0:00:00
合邦(6103) 16日发布新闻指出，随着高功率led的技术逐渐成熟，强调环保节能的趋势下，led将陆续取代低效率、高耗能的传统发光源，该公司表示，已布建全球第一条led硅基板全自
https://www.alighting.cn/news/20071119/117172.htm2007/11/19 0:00:00
在中国led厂商增产同时，还有欧洲led厂也看好固态照明市场，英国led厂商plessey也备好银弹，准备扩展英国国内位于普利茅斯的led产线。
https://www.alighting.cn/news/20151008/133053.htm2015/10/8 9:20:07
出货量下降的原因可以归结为氮化镓基led的应用市场疲软、led芯片供大于求、信贷紧缩以及中国补贴政策的取消等方面。而令人振奋的是，用于硅衬底GaN基led外延片制备的mocvd设
https://www.alighting.cn/news/20111123/114479.htm2011/11/23 13:46:03
本文我们一起来探讨如何通过背光驱动来提高lcd的显示效果。
https://www.alighting.cn/resource/20150106/123794.htm2015/1/6 9:30:29
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀60 mi
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
据测算，当前随着 mocvd设备在半导体制造业中的广泛应用，全世界每年对mocvd设备约有300台的市场需求，其中gan-mocvd设备每年至少需求120台。我国“十一五”期间约需
https://www.alighting.cn/news/20060220/91064.htm2006/2/20 0:00:00
