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近日，日本大厂同和电子（dowa electronics）宣佈，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外led芯片。比目前市售的紫外led发光波长短，实现了该波长范围全球最高
https://www.alighting.cn/news/20080521/105650.htm2008/5/21 0:00:00
湖南led龙头湘能华磊光电股份公司日前在湖南产权交易所挂牌，拟对外公开征集5个投资者，共增资16302万股，拟募资4.33亿元以上。公司明确规定了意向投资人在成为公司股东到公司上市
https://www.alighting.cn/news/20101109/118071.htm2010/11/9 0:00:00
长城开发近日披露，拟与epistar、亿冠晶、country lighting合作投资建设led芯片外延片及led光模组等产业化项目。 上述合资公司投资总额为1.6亿美元，注册资本
https://www.alighting.cn/news/20101011/119395.htm2010/10/11 0:00:00
led是由超导发光晶体产生的超高强度的灯光。
https://www.alighting.cn/news/2007629/V8057.htm2007/6/29 13:32:17
p）的研发项目里，imec与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/alGaN的技术。借助这项新技术，GaN mishemts（ metal-insulato
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
以wo3,moo3,eu2o3,li2co3,y2o3为原料,采用传统的高温固相反应方法制备了一种新的白光led用红色荧光粉lieu1-xyx(wo4)0.5(moo4)1.5(x
https://www.alighting.cn/2011/10/24 15:09:16
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
为响应国家推进新材料产业发展，实施制造产业强国战略的号召，国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(casa)将联合北京大学于2017年7月20
https://www.alighting.cn/news/20170413/150127.htm2017/4/13 14:51:26
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
