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分析el背光驱动工作原理

底上喷涂了场致发光材料并夹在两层电极之间组成。el场致发光灯的 供应商可以通过使用不同的发光材料,比如硫化锌、硫化钙或硫化锶,再掺杂其他成份如镁、钐、铕或添加萤光染色剂等,来调整

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led背光与无彩色滤光片技术

统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素所构成,每个子像素由一颗场

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

静电在led显示屏生产过程中的危害及防护措施

电,所产生的电压取决于相互摩擦的材料本身的特性。由于led显示屏在实际生产过程中主要是人体与相关元器件的直接接触与间接接触产生静电。所以根据本行业的特点我们可做一些针对性的静电防

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00

发光二极管封装结构及技术

产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生

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led背光与无彩色滤光片技术

统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素所构成,每个子像素由一颗场

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

子。--------------------------------------------------------------------------------[定义]mocvd(或movpe)意为金属有机化学汽相外延淀积(或金属有机汽相外延),是一种制备化合物半导体薄层单晶材料的方法。1968年由manasevit提出,到80年代后

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

氮化镓衬底及其生产技术

氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓

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gan外延片的主要生长方法

为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研

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led外延片(衬底材料)介绍

i材料,其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离,这也是在外延加工中沉积的。目前,200 mm晶片中,外延片占1/3。2000

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led与太阳能结合的照明技术

等特点。1. 太阳能光伏发电的原理:太阳能光伏发电是依靠太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体pn结上,由于p-n结势垒区产生了较强的内建静电场,因而产

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