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大功率led封装关键技术

要对光、热、电、结构等性能统一考虑。在封装过程中,虽然材料(散热基板、萤光粉、灌封胶)选择很重要,但封装结构中应尽可能减少热学和光学介面,从而降低封装热阻,提高出光效率。文中最后

  https://www.alighting.cn/resource/20130723/125443.htm2013/7/23 10:47:31

大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法

介绍了发光二极管(led)的发展简史。提出可能影响led可靠性的几种因素,主要有封装中的散热问题和led本身材料缺陷。对于led可靠性,主要方法是通过测试其寿命来分析其可靠性,一

  https://www.alighting.cn/2013/5/29 10:20:47

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcPCb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

高效高亮度有机红色微腔发光二极管

采用普通的alq∶dcm红光发光材料体系,制作了结构为glass/dbr/ito/npb/alq∶dcm/ mgag的有机红光微腔发光器件,实现了纯红光发射,器件发射峰位于60

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 11:30:11

大功率led封装技术与发展趋势

要对光、热、电、结构等性能统一考虑。在封装过程中,虽然材料(散热基板、荧光粉、灌封胶)选择很重要,但封装结构中应尽可能减少热学和光学界面,从而降低封装热阻,提高出光效率。文中最后

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125642.htm2013/5/6 16:46:59

化合物半导体晶片和器件键合技术进展

半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来

  https://www.alighting.cn/resource/20130424/125679.htm2013/4/24 10:53:06

mocvd外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和光学特性

3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

成都ur中国旗舰店照明设计

业动线改造,使人流向上,带活原建筑二三层的商业“冷区”。并将“建筑脚手架”这一基本建筑元素应用于整体商业布局,这并非基于对材料与形式特异性的考虑,而是希望截取人们对“城市”最基

  https://www.alighting.cn/case/20160810/42747.htm2016/8/10 9:37:09

上海品测欢迎您

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  http://blog.alighting.cn/shpince/archive/2010/2/20/27325.html2010/2/20 12:41:00

大功率led灯珠与散热器直焊结构散热效果分析

散热是制约大功率led发展的瓶颈,为了更好地解决散热问题,采用新型冷喷涂技术,在铝合金散热器表面喷涂铜层,实现了led灯珠与散热器的直焊,取代了目前使用导热硅胶等热界面材料

  https://www.alighting.cn/resource/20130327/125803.htm2013/3/27 15:08:30

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