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素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
底对光的吸收严重,LED出光效率低目前国外文献报导的硅衬底上蓝光LED光功率最好水平是420mw,是德国magdeburg大学研制的。日本nagoya技术研究所今年在上海国际半导体照
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一发光波段范围内,外延层的晶格常数能够与gaas衬底完善地匹配,这是稳定批量生产超高亮度LED外延材料的重要前提。algainp超高亮度LED 采用了mocvd的外延生长技术和多量
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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生
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体发光二极管(LED)也是一种环保、节能、高效的固态电光源。在过去的一百多年中,照明光源经历了三个重要的阶段：白炽灯,荧光灯,hid灯。其中白炽灯是第一代光源,荧光灯是第二代光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00
一、目前应用情况1、应用种类目前国内LED较为成熟的应用领域为建筑景观照明,大屏幕显示,交通信号灯,指示灯,手机及数码相机等用小尺寸背光源,太阳能LED照明,汽车照明,特种照明
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测,到2005年国际上LED的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在LED产业链接中,上游是LED衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为LED芯片设计及制造生产,下游
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
用。但由于我国计划经济产业布局的影响以及LED的专业知识和照明电器综合知识在从业人员中普及的不足,造成了在实际的设计和应用中,没有针对LED的特点进行扬长避短的应用,出现了众多不合理及不
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体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
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1. 按显示颜色分为：单红色、单绿色、红绿双基色、红绿蓝三色、全彩、自然色；单基色LED显示屏(含伪彩色LED显示屏),双基色LED显示屏和全彩色(三基色)LED显示屏。按灰度
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