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介绍了led芯片寿命试验过程，提出了寿命试验条件，完善的试验方案，消除可能影响寿命试验结果准确性的因素，保证了寿命试验结果的客观性和准确性。采用科学的试验线路和连接方式，使寿命试
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261498.html2012/1/8 21:46:08
tlc5902是美国texas instruments公司生产的专门用于图像显示的led驱动芯片，该器件集移位寄存器、数据锁存器于一体，同时带有电流值调整恒流电路以及脉宽调制25
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261493.html2012/1/8 21:45:59
在发现电子发光机理的十年后,有机发光二极管(oled)技术最终商用在手机,mp3和数码相机中。按display search的数据报告, 从2001年第一颗单芯片oled驱动器
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261490.html2012/1/8 21:45:57
口方式0似乎可以利用单片机发出的移位脉冲将8位数据送入74hc595中，但要实现图2中8位数据的同时输入必须加入其他的辅助芯片，而且在减小数据传输时间上没有什么好处。其次，采
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261491.html2012/1/8 21:45:57
进参考。1.)led芯片&封装组件发光效率关键技术指针：首要之led芯片&封装组件关键技术美、日厂商均已量产突破发光效率100~120 lm/w以上，超越传统最高效
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261489.html2012/1/8 21:45:52
光。这是因为当芯片是以高电流来驱动时，所产生的高热会造成铜 导线框（lead-frame）从原先封装好的位置迁移。因此在芯片与导线框间存在着tce的不协调性，这种不协调性是对led可
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261488.html2012/1/8 21:45:48
近驱动器的位置。此外，电流设定电阻(rfb)应该直接连接至芯片的接地，因为内部参考和检测电压之间的错误会直接影响led电流精确度。 4. 在真实环境下测您的试产品 考虑显示屏在外
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261487.html2012/1/8 21:45:47
带一led，依次为am，pm，及4个秒闪烁led。74hc595的每个输出脚低电平具有25ma的段动能力，可驱动约3英寸以下的共阳led字符；对于大型/特大型字符，驱动芯片改用tpic
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261486.html2012/1/8 21:45:45
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
关重要。一般来说，led的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝led均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。led芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
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