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国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09
大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54
估算,光电子产业将在 2010 年形成 5 万亿美元的市常近日,我国第一家生产高品质发光二极管的大边路美芯片科技公司有关人士称,半导体新技术正孕育一嘲照明革命”。其标志就是半导
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262684.html2012/1/29 0:37:45
为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395～410 nm),8 mw 绿光(50
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42
大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262677.html2012/1/29 0:37:20
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262676.html2012/1/29 0:37:17
d的驱动； ●电源电压为4.5v～5.5v； ●最大数据传输速度为15mhz； ●最大灰度极时钟频率为4 mhz； ●环境温度范围为-20℃～85℃； ●采用htqfp100脚封
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262666.html2012/1/29 0:36:47
至本身导热片(tjs)温升为δt＝6~15℃之间，另外led光效率与工作温度成反比性能特性，每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果，与一般宣传led可工作于100℃寿命可
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262662.html2012/1/29 0:36:34
v的放电就能破坏class 1 对esd极敏感的设备。研究显示esd对电子产品及相关设备的损害每年估计高达50亿美元，至于因esd受损的led则可能有变暗、报销、短路，及低v
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
前led隧道照明产品主要的工艺路径三．led在重庆××高速公路隧道中的应用案例分析隧道在进行led节能改造以前的照明状况隧道总长1.8km，单向3车道隧道宽度15m，其中车行道数
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