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ganled外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

山东济宁城投保·创智中心售楼处夜景亮化项目——2021神灯奖申报工程

山东济宁城投保·创智中心售楼处夜景亮化项目,为青岛晶智环艺科技有限公司,青岛理工大学2021神灯奖申报工程。

  https://www.alighting.cn/case/20210223/45433.htm2021/2/23 17:13:08

氏电子亮相2023年上海国际半导体展,推出创新解决方案以提升器件性能

氏电子近日宣布将参加于2023年6月29日至7月1日在上海浦东新国际博览中心举行的2023年上海国际半导体展(semicon china)。

  https://www.alighting.cn/news/20230628/174415.htm2023/6/28 16:20:54

清华康曾广军申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

曾广军(博客)——山东清华康城市照明研究设计院有限公司 董事长  个人介绍  曾广军,资深环境艺术师、高级照明设计师。  1988年毕业于山东广播电视大学,先后在济南美术工厂

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/15/314517.html2013/4/15 17:49:54

刻蚀深度对si衬底gan蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oanled外延材料,将其转移到新的硅板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

2013ls:晶能-硅衬底上氮化镓垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

晶能光电硅大功率led芯片量产入选“全球半导体照明2012年度新闻”

国际半导体照明联盟(isa)在广州举行年度成员大会,并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全球首家量产硅大功率led芯片的公司”成功入选了“全

  https://www.alighting.cn/news/20121105/113019.htm2012/11/5 11:49:36

非直接俄歇效应是氮化物led光效下降主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

氮化物led光效下降 非直接俄歇效应是主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00

斯坦电气展出液冷式led前照灯

斯坦电气试制出了液冷式led 前照灯。与使用散热片冷却的传统方法相比,液冷式的冷却效果高,即使向led输送更大的驱动电流,也能够使led的温度处于工作温度范围内。因此, 亮度可

  http://blog.alighting.cn/gaogongled/archive/2009/10/26/7339.html2009/10/26 15:47:00

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