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利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射，耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光le
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
2007年5月24日，台湾光鋐科技（epileds）订下两台thomas swan（aixtron子公司）ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮（hb）ga
https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52
蓝色led和蓝紫色半导体激光器用基板有望采用铝镁酸钪(scalmgo4，通称：scam)。scam的特点是，与GaN的晶格失配度只有1.8%，便于抑制位错等结晶缺陷。与采用蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20150120/97572.htm2015/1/20 17:23:49
o led、GaN功率器件等项
https://www.alighting.cn/news/20200403/167601.htm2020/4/3 16:54:01
东芝照明在2012年12月就宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓led的工艺，通过采用新型硅上氮化镓(GaN-on-si)技术来生产led芯片，并且已经准备开始量产。
https://www.alighting.cn/news/201317/n279747771.htm2013/1/7 16:22:26
氮化铟镓(inGaN)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22
近几年来，硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
