站内搜索
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262590.html2012/1/29 0:32:09
欧司朗光电半导体德国总部项目经理 peter stauss 博士指出：“我们多年的研发投入终于有了回报：不仅成功地提升了硅基上氮化镓层的质量，产品的效能和亮度也极具竞争力。
https://www.alighting.cn/news/2012113/n121037049.htm2012/1/13 9:39:57
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261891.html2012/1/8 22:44:02
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261888.html2012/1/8 22:43:58
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261607.html2012/1/8 21:57:46
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22
装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261564.html2012/1/8 21:50:56
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
