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新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n，氮化镓薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下，使发光强度提升17
https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
自台湾led厂商广镓要求员工从十月起，每月多休五天，没积假可休就改扣薪，部分员工面临无薪假情况后，近日，亿光电子事长叶寅夫也证实亿光将启动无薪假制度，预计自11月开始持续2个月。
https://www.alighting.cn/news/20111027/n294035270.htm2011/10/27 8:53:28
led厂商广镓要求员工从十月起，每月多休五天，没积假可休就改扣薪，部分员工面临无薪假情况。有些厂商鼓励员工多消化积假，连明年的假也先“预支”。
https://www.alighting.cn/news/20111025/n340435215.htm2011/10/25 9:42:06
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gan作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延gan材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化镓(gan)，这是一个重要的里程碑
https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
