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深圳LED概况

d企业的爆发式增长已经取得了明显经济效益。2004年,深圳全市半导体照明产业产值达80亿元,LED产业链从氮化LED外延片、芯片、荧光粉到照明工程应用产品开发等均有涉及,目前已

  http://blog.alighting.cn/mule23/archive/2008/11/12/9287.html2008/11/12 10:16:00

LED基础知识大普及

发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物,如gaas(砷化)、gap(磷化)、gaasp(磷砷化)等半导体制成的,其核心是pn结。因此它具有一般p- n结的i-n特性,即正向导通,反

  https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22

LED灯光艺术性的详细体现

向电压,少量载流子(少子)难以注入,故不发光。LED软灯条   白光LED的重要完成办法。当前,氮化LED取得白光重要有:蓝光LED+黄色荧光粉、三色LED分解白光、紫光LED

  http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/12/22/259887.html2011/12/22 10:24:11

晶电进驻广嫁 股票有望第四季度上市

随着广董监改选的完成,广也正式成为晶电的成员。市场预期未来广在产品的研发、生产、业务、采购等各方面,都将与晶电有更进一步的整合。

  https://www.alighting.cn/news/20100908/117959.htm2010/9/8 11:12:10

gan外延片的主要生长方法

为砷化、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化材料制备,利用他自己研

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

氢化物气相外延自支撑gan衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

2012亚洲LED高峰论坛即将揭幕

见与产业最新动向。LED人才  据了解,此次论坛亮点纷呈,引人瞩目。“黄光LED之父”乔治·克劳福德、“氮化蓝光LED之父”中村修二将担任主讲嘉宾为论坛定

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/6/5/277742.html2012/6/5 9:13:33

浅谈inn材料的电学特性

inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右,而不是先前普遍接受的1.9ev,所以通过调节合金组分可以获得从0.

  https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13

外延生长技术概述

料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

LED灯具散热技术分析

行说明,着重分析了散热器材料、金属基板及辐射,通过定量比较,旨在说明LED照明灯具系统设计时应注意的问题,帮助工程师设计出更好的产品。 随着氮化基第三代半导体的兴起,蓝色和白

  http://blog.alighting.cn/ahwlkj/archive/2010/11/22/115868.html2010/11/22 17:07:00

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