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阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
zno既是半导体材料又是压电材料，在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质，使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对zno nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49
良品的外延片就要开始做电极(p极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
以gan为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
铝(al)调整带隙，所获得的led和蓝紫色半导体激光器等发光元件已经实用
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
日前，戈尔公司介绍了新一代螺纹型gore?防水防尘透气产品，本产品更加经久耐用，采用一体式结构，提高对机械冲击的防护能力。为提高可靠性，目前这种透气产品都采用在线质量检测并用激
https://www.alighting.cn/news/2012227/n592437816.htm2012/2/27 14:23:03
5月22日上午，由山东浪潮华光光电子股份有限公司承担的2009年山东省自主创新成果转化重大专项——“激光剥离制作功率型蓝光led技术”项目顺利通过山东省科学技术厅的验收，圆满完
https://www.alighting.cn/news/2012525/n800540115.htm2012/5/25 9:02:31
