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d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

盾的，通常都是导体的导热性能好，而绝缘体的导热性能差。又要导热好又要绝缘好是很难做到的。也是一种科研的课题。目前采用的是一种掺有陶瓷填充物的改性环氧树脂或环氧玻璃布粘结片。通过热压

http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267446.html2012/3/10 10:15:21

盾的，通常都是导体的导热性能好，而绝缘体的导热性能差。又要导热好又要绝缘好是很难做到的。也是一种科研的课题。目前采用的是一种掺有陶瓷填充物的改性环氧树脂或环氧玻璃布粘结片。通过热压

http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267557.html2012/3/12 19:17:56

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39