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芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

硅衬底led照明暂未发现物理瓶颈

当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题,很容易出现龟裂现象,要在硅衬底上生长高质量的氮化led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为,硅衬

  https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23

南工大推荐西安中为光电参与2015阿拉丁神灯奖百强评选

被推荐单位名称:西安中为光电科技有限公司  推荐原因:西安中为光电科技有限公司是一家专业生产氮化蓝、绿、紫光led外延片和芯片的生产加工型企业,为西北地区首家专业从事蓝、绿

  http://blog.alighting.cn/njgydx1/archive/2015/3/25/367129.html2015/3/25 15:32:51

王海波推荐西安中为光电参与2015阿拉丁神灯奖评选

被推荐单位名称:西安中为光电科技有限公司  推荐原因:西安中为光电科技有限公司是一家专业生产氮化蓝、绿、紫光led外延片和芯片的生产加工型企业,为西北地区首家专业从事蓝、绿

  http://blog.alighting.cn/169607/archive/2015/3/24/367075.html2015/3/24 17:17:40

王海波推荐西安中为光电参与2015阿拉丁神灯奖评选

被推荐单位名称:西安中为光电科技有限公司  推荐原因:西安中为光电科技有限公司是一家专业生产氮化蓝、绿、紫光led外延片和芯片的生产加工型企业,为西北地区首家专业从事蓝、绿

  http://blog.alighting.cn/169607/archive/2015/3/24/367076.html2015/3/24 17:17:56

江门第一块led外延片“出炉”

据江门奥伦德外延部厂长翁叶华介绍,目前,5条高亮氮化led外延片生产线已成功验收,2条led外延片生产线正式投产,1条正调试生产高端产品,2条生产线备产,根据市场的需求适时投

  https://www.alighting.cn/news/20110810/100422.htm2011/8/10 9:23:00

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