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芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

重庆超led蓝宝石年产值达37亿元

本报讯(记者 谢婉斐)经过一年多建设,两江新区重大高新技术产业项目重庆超2~6英寸led用蓝宝石及8英寸集成电路用片抛光项目一期在水土高新园正式投产。从两江新区获悉,该项目全

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313077.html2013/4/1 11:39:05

和锗两种二极管的特性曲线,两者有以下几点差异

1) 二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为ma级,管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比的ni要高出约三个数量级,所以在相同掺杂浓度下的少子浓度比锗的少子浓

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120870.html2010/12/14 21:47:00

台湾绿能称下季度晶圆或将再涨价

我国台湾地区太阳能晶圆大厂绿能透露,目前订单爆满,几乎已是产能的两倍,在产品不足情况下,下个季度不排除晶圆再涨价的可能。

  https://www.alighting.cn/news/20100823/106236.htm2010/8/23 0:00:00

cree与意法半导体签供货协议,向碳化转型迈多一步

按照该协议的规定,在当前碳化功率器件市场需求显著增长期间,cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元的cree先进150mm碳化裸晶圆和外延晶圆。

  https://www.alighting.cn/news/20190122/160087.htm2019/1/22 10:40:02

有机三防喷胶——2019神灯奖申报技术

有机三防喷胶,为深圳市奥希科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190301/160577.htm2019/3/1 13:01:17

世龙翔导热脂——2019神灯奖申报技术

世龙翔导热脂,为深圳市世龙翔科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190301/160581.htm2019/3/1 13:02:44

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