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单晶硅的产量方面，受到东日本大震灾的影响，2011年上半年(2011年1～6月)产量仅为3718吨，远远低于上年同期的4312吨。不过，生产体制已经恢复，下半年(2011年7～1
https://www.alighting.cn/news/20110728/100200.htm2011/7/28 11:53:33
一份关于介绍《LED芯片知识大了解》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131008/125265.htm2013/10/8 11:19:19
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-xn外
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
strategy analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓(si gaas) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(si gaa
https://www.alighting.cn/news/20090806/92793.htm2009/8/6 0:00:00
代高亮LED峰会”并发表演讲，介绍了晶能光电最近实现量产的硅衬底大功率LED芯片的最新成果，引起业界高度的关
https://www.alighting.cn/news/2012719/n192741430.htm2012/7/19 11:40:22
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
近日，上海欧切斯可控硅调光系列再添新成员--可控硅功率放大器eupb0105和eupb0405，两款分别是1通道和4通道，每路最大输出电流5a。
https://www.alighting.cn/pingce/20160429/139855.htm2016/4/29 9:15:26
一份由潘述栋整理的《LED晶片认识》，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45
上海世博会、广州亚运会的建设、灯光效果都用上了LED灯。十城万盏计划里换下的LED灯很多都已经撤下来了，光衰严重，用不了多久灯光变得昏暗。那么，当前LED照明灯具普遍存在的问
https://www.alighting.cn/news/20120529/89443.htm2012/5/29 11:19:43
