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2011年6月11日，“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究
https://www.alighting.cn/news/20110612/109072.htm2011/6/12 17:24:09
2007年10月16日，宾夕法尼亚州纳米材料商业化中心(nanomaterials commercialization center) 宣布crystalplex获得 be
https://www.alighting.cn/news/20071018/119877.htm2007/10/18 0:00:00
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在gan中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
门晶体管技术（台积电计划14nm节点启用类似的finfet技术）的芯片产品。而台积电这次推出采用3-d芯片堆叠技术半导体芯片产品的时间点则与其非常靠近。 虽然台积电在与inte
http://blog.alighting.cn/heriver/archive/2011/7/7/228960.html2011/7/7 16:56:00
体并非作为导体使用，也不是作为绝缘体使用，二十主要被制成具有神奇功效的半导体材料元器件。电子设备中的许多电子元器件都是用半导体材料制成的，如初见的晶体三极管，晶体二极管和集成电路
http://blog.alighting.cn/88/archive/2012/10/18/293482.html2012/10/18 14:04:22
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293810.html2012/10/19 22:31:02
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293974.html2012/10/19 22:35:18
析，比较了四种不同界面材料led封装结构的温度场分布。同时对纳米银焊膏低温烧结和sn63pb37连接时的热应力分布进行了对比，得出纳米银焊膏低温烧结粘接有着更好的热机械性能。关键
http://blog.alighting.cn/huxibing/archive/2009/9/4/10302.html2009/9/4 17:38:00
