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led结温产生的根本原因及处理对策

1、什麼是led的结温? led的基本结构是一个半导体的P—n结。实验指出,当电流流过led元件时,P—n结的温度将上升,严格意义上说,就把P—n结区的温度定义为led的结温。通

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262630.html2012/1/29 0:34:32

led结温产生的根本原因及处理对策

1、什麼是led的结温? led的基本结构是一个半导体的P—n结。实验指出,当电流流过led元件时,P—n结的温度将上升,严格意义上说,就把P—n结区的温度定义为led的结温。通

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271732.html2012/4/10 23:29:53

led产生热量的原因

量,在电场的驱动下,克服Pn结的电场,由n区跃迁到P区,这些电子与P区的空穴发生复合。由于漂移到P区的自由电子具有高于P区价电子的能量,复合时电子回到低能量态,多余的能量以光子的形式放

  http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/14/274356.html2012/5/14 14:13:49

led结温产生的根本原因及处理对策

1、什麼是led的结温? led的基本结构是一个半导体的P—n结。实验指出,当电流流过led元件时,P—n结的温度将上升,严格意义上说,就把P—n结区的温度定义为led的结温。通

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274790.html2012/5/16 21:31:57

汽车电子电磁兼容抗干扰测试系统(1381485599)

辆电子设备的抗扰度测试,波形完全满足iso-7637-2(2004版)标准中P1和P2a脉冲要求. 脉冲P1 模拟由于关断感性负载(如雨刷器马达)产生的脉冲对其他并联的汽车电子产

  http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46187.html2010/5/26 11:53:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

si衬底led芯片制造工艺   si衬底led封装技术   解决方案:   采用多种在线控制技术   通过调节P型层镁浓度结构   采用多层金属结构   1993年世

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

led像素灯与led显示屏投资成本分析及性能对比

led像素灯与led显示屏投资成本分析及性能对比1、相关参数对比参数P20显示屏16像素灯条对比结果像素间距20mm62.5mm16像素灯条像素间距较大,清晰度不如P20显示

  http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222664.html2011/6/22 14:55:00

美国cree led q2 q3 q4 q5

w (P3,P4)3、正常工作电流:350ma-700ma, 700ma工作时光通量是350ma工作时的1、65倍,最大支持1000ma 4、典型电压值3、3v(350ma),3、75

  http://blog.alighting.cn/andylau88645/archive/2009/8/13/10198.html2009/8/13 18:06:00

cree led

w (P3,P4)3、正常工作电流:350ma-700ma, 700ma工作时光通量是350ma工作时的1、65倍,最大支持1000ma 4、典型电压值3、3v(350ma),3、75

  http://blog.alighting.cn/andylau88645/archive/2009/8/13/10199.html2009/8/13 18:07:00

led灯常用高压贴片和大容量贴片电容规格

:5244338 无极灯我司专业生产高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替cbb) 规格主要有: 1kv nP0 101 221 331 471 102。100P 3kv nP

  http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106971.html2010/10/15 15:40:00

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