站内搜索
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3N4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263243.html2012/1/29 23:41:49
6 e" w% h* }+ c9 N9 b& b% c可防止一特定蒸汽或气体进入灯罩的灯具。防雨灯具：：用于室外能够防止雨水渗透的灯具。# p% {+ @$ ma' o- c
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263213.html2012/1/29 23:40:08
功率因子：电路中的功率与电流、电压均方根的乘积之比。* d- f" ?1 @* r4 N; i$ p对于正弦波来说，功率因子等于电压、电流位相差的余弦。
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263204.html2012/1/29 23:39:35
长高达249．81%。采用传统技术的宽带接入由于“最后一公里”并未采用光纤，终端用户的网速大打折扣。实现光纤接入之后，原有瓶颈被彻底打通，用户能够以千兆速率“网上冲浪”——这意味
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262813.html2012/1/29 0:46:39
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262807.html2012/1/29 0:46:19
场上，led受到的追捧很明显———从2009年年初到2010年3月末的15个月中，德豪润达股价从2.81元涨到20.29元，士兰微从3.35元到14.85元，而同期上证指数从1820点
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262775.html2012/1/29 0:44:14
0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
国 iii-N techNology，3N技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22
此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262729.html2012/1/29 0:41:03
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
