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宽禁带半导体sic和zno的外延生长及其掺杂的研究

面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

周均铭:制备超高亮度、大功率led外延材料的生长技术

院物理研究所周均铭教授做了题为《制备超高亮度、大功率led外延材料的生长技术》的报

  https://www.alighting.cn/news/20080125/102839.htm2008/1/25 0:00:00

台湾led外延厂12月营收普遍减逾30%

受到景气低迷、消费需求降温,以及年底存货盘点等因素影响,台湾地区上市led外延厂12月营收也多降温。包括晶电、新世纪等12月营收均较上月下滑约30%,璨圆12月营收减幅更达40

  https://www.alighting.cn/news/20090112/117471.htm2009/1/12 0:00:00

激光剥离GaN/al_2o_3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56

科锐推出150毫米 4h n型碳化硅外延

led领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降

  https://www.alighting.cn/news/2012911/n735043325.htm2012/9/11 10:30:55

过渡层对ge衬底gaas外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

日本开发出1.6mm基板对电线连接器“es5系列”

日前,日本航空电子工业开发出基板对电线连接器“es5系列”产品,该产品用于led照明及液晶电视背照灯等部件封装且厚度只有1.6mm。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120328/122362.htm2012/3/28 10:53:16

采钰科技李豫华博士:《led在硅基板上封装之创新技术》

李豫华博士发表了《led在硅基板上封装之创新技术》的精彩报告。让各与会者对硅基板封装方面的理论、技术知识都有了更深入的了

  https://www.alighting.cn/news/20110612/109084.htm2011/6/12 15:56:47

led散热基板之厚膜与薄膜工艺差异分析

之led功率已经不只1w、3w、5w甚至到达10w以上,所以散热基板的散热效能儼然成为最重要的议

  https://www.alighting.cn/resource/20091218/129006.htm2009/12/18 0:00:00

明纬推出plp-30/60系列基板型led电源供应器

统内之应用,明纬于led电源产品线新增了基板型(open frame type)类别的新产品系列,命名为plp家

  https://www.alighting.cn/news/20090526/119874.htm2009/5/26 0:00:00

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