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衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36
、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓：用于GaN生长的最理想衬底是GaN单晶材料,可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
体雷射器，借鉴住友电气的半极性氮化镓技术，晶体生长，及芯片加工技术，以及索尼的GaN基蓝光雷射技术。通过采用新技术和提高整个半导体雷射器的生产过程，包括结构设计，晶体生长，芯片加
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/6/27/280011.html2012/6/27 8:52:26
%。 晶体质量 日本化合物半导体制造商eudyna devices公司在对这方面进行研究时，在通过衬底GaN led外延层的地方，简单地增加了一个额外加热处理工艺，就提
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
定制 esop-7 封装，接近 sop-8 的成本、媲美 dfn5×6 的散热能力
https://www.alighting.cn/news/20230814/174880.htm2023/8/14 11:46:10
胶的选择 根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发射。以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
近日，美国iqe公司宣布收购英国一家专门研制GaN技术的nanoGaN公司。
https://www.alighting.cn/news/20091012/106929.htm2009/10/12 0:00:00
而改善晶体质量。例如，inGaN使用si参杂就可以改善晶体质量。3、cl参杂：cl的电阻率是决定cl浓度的重要参数，浓度一定要低到不足以在cl中产生热效应，但是cl参杂又必须高过a
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
