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光电激发方式对algainp及GaN基led电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素

  https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09

p层厚度对si基GaN垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

蓝光led之父又有斩获 GaN器件研发呈现新进展

中村修二的团队成功地在新平面上生长出光滑的缺陷较少的薄膜。与此生长技术相关的专利已有12项正在申请。该薄膜生长技术涉及现有的横向外延过生长技术,但具体细节没有被披露。

  https://www.alighting.cn/resource/20051106/128461.htm2005/11/6 0:00:00

厚度对GaN薄膜的发光性能的影响

研究发现不同厚度GaN 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03

静电红外线热辐射光学pc材料——2015神灯奖申报技术

项目名称:静电红外线热辐射光学pc材料关键技术研究及应用于led高效照明申报单位:东莞市普万光电散热科技有限公司综合介绍或申报理由:本公司针对“散热技术”成功研究了一种“静电红外

  https://www.alighting.cn/pingce/20150311/83332.htm2015/3/11 17:48:11

不使用荧光粉的白光leds现身

2005年7月13日:一些专家认为,GaN可以在氧化锌(zno)衬底生长以制作无需荧光粉的白光leds,这种器件有可能获得更大的光输出并改善器件效能。

  https://www.alighting.cn/resource/20050930/128446.htm2005/9/30 0:00:00

soraa拟在纽约建新厂 用于制造GaN on GaN led产品

美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作,在纽约州水牛城建立半导体制造工厂,并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品,预计将在2015年投

  https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30

静电红外线热辐射光学pc材料关——2015神灯奖申报产品

静电红外线热辐射光学pc材料关键技术研究及应用于led高效照明 pw-qp-46-001,为东莞市普万光电散热科技有限公司2015神灯奖申报产品。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150316/83431.htm2015/3/16 10:27:45

白光led衰减与其材料分析

蓝光led的问世,使得利用荧光体与蓝光led的组合,就可轻易获得白光led,这是行业中最成熟的一种白光封装方式。目前白光led已成为照明光源,一般家用照明已成为现实。但行业中较多产

  https://www.alighting.cn/resource/20110528/127536.htm2011/5/28 19:04:07

灯饰前沿 led发光材料的特点

1968年hp公司就生产出红色的led发光灯(波长660nm),而后陆续出现了可用于显示屏的黄绿(波长570nm),蓝(波长470nm)及纯绿(波长525nm),但目前由于高亮度的

  https://www.alighting.cn/resource/20081215/128832.htm2008/12/15 0:00:00

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