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尽管半导体照明产业有巨大的发展空间，但未来仍将是机遇与挑战并存。目前led光效还有待进一步提高，特别是存在高驱动电流下led“量子效率下降”（efficiency droo
https://www.alighting.cn/news/20100528/85921.htm2010/5/28 0:00:00
近日，日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗（ge）量子点的硅发光元件。
https://www.alighting.cn/news/20100526/105710.htm2010/5/26 0:00:00
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
: InGaN高级esd保护比白炽灯和卤素灯效率高焊接方式：回流焊或手工焊光效高: 最高白光光效72-146lm/w寿命长达30,000小时即亮(100n
http://blog.alighting.cn/szsdarlin/archive/2010/5/25/46090.html2010/5/25 14:18:00
镓（InGaN ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型gan薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
色。ingaalp与InGaN材料属iii-v族化合物半导体，当它们温度升高时，材料的禁带宽度将减小，导致器件发光波长变长，颜色发生红移。 有经验公式表明，波长与结温tj的关系为﹕ λ（t
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45320.html2010/5/22 22:09:00
日前，韩国教育科学技术部表示，由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色led的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功。
https://www.alighting.cn/news/20100505/105935.htm2010/5/5 0:00:00
韩国教育科学技术部(长官：安炳万)21日发表了由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色led的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功。
https://www.alighting.cn/resource/20100504/128396.htm2010/5/4 0:00:00
槟城新工厂是欧司朗光电半导体的第二家 led 芯片制造厂，将采用氮化铟镓 (InGaN) 技术在 4 英寸圆片上生产 led 芯片，作为蓝光、绿光和白光 led 的基础。
https://www.alighting.cn/news/20100428/117260.htm2010/4/28 0:00:00
德国欧司朗光电半导体（osram opto semiconductors gmbh）开发出了外部量子效率高达68％的led技术。该公司表示，新产品适用于采用rgb led的投影
https://www.alighting.cn/resource/20100427/128772.htm2010/4/27 0:00:00
