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在发现电子发光机理的十年后,有机发光二极管(olED)技术最终商用在手机,mp3和数码相机中。按display search的数据报告, 从2001年第一颗单芯片olED驱动器
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261490.html2012/1/8 21:45:57
口方式0似乎可以利用单片机发出的移位脉冲将8位数据送入74hc595中,但要实现图2中8位数据的同时输入必须加入其他的辅助芯片,而且在减小数据传输时间上没有什么好处。其次,采
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261491.html2012/1/8 21:45:57
进参考。1.)lED芯片&封装组件发光效率关键技术指针:首要之lED芯片&封装组件关键技术美、日厂商均已量产突破发光效率100~120 lm/w以上,超越传统最高效
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261489.html2012/1/8 21:45:52
光。这是因为当芯片是以高电流来驱动时,所产生的高热会造成铜 导线框(lead-frame)从原先封装好的位置迁移。因此在芯片与导线框间存在着tce的不协调性,这种不协调性是对lED可
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261488.html2012/1/8 21:45:48
近驱动器的位置。此外,电流设定电阻(rfb)应该直接连接至芯片的接地,因为内部参考和检测电压之间的错误会直接影响lED电流精确度。 4. 在真实环境下测您的试产品 考虑显示屏在外
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带一lED,依次为am,pm,及4个秒闪烁lED。74hc595的每个输出脚低电平具有25ma的段动能力,可驱动约3英寸以下的共阳lED字符;对于大型/特大型字符,驱动芯片改用tpic
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261486.html2012/1/8 21:45:45
摘 要:用同种gan基lED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基lED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
关重要。一般来说,lED的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝lED均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。lED芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
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v背光源,颇有逐步取代ccfl背光源的架势。主要是lED在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管(ccfl)更具优势,因而吸引业者积极投入。 早期单芯片le d的功
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261473.html2012/1/8 21:40:12
过去lED业者为了获利充分的白光 lED 光束,曾经开发大尺寸 lED 芯片试图藉此方式达成预期目标,不过实际上白光 lED 的施加电力持续超过 1w 以上时光束反而会下降,发
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