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离线高功率因数triac调光led驱动器设计

目的替代解决方案。  针对固态照明的能效规范要求  为了促进节能,世界各地的政府机构或规范组织制定了不同led照明规范,主要体现在对功率 因数(pf)的要求方面。欧盟的国际电工联

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229857.html2011/7/17 22:43:00

小型lcd背光的led驱动电路设计考虑因素

池供电产品需要优化的led驱动电路架构,这些架构要处理并存的多项挑战,空间受限、需要高能效,以及电池电压变化—既可能比led的正向电压 高,也可能低。常用的拓扑结构有两种,分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229890.html2011/7/17 23:00:00

led辞典

件,材料使用iii- v族化学元素(:磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)等),发光原理是将电能转换为光,也就是对化合物半导体施加电流,透过电子与电洞的结合,过剩的 能量会以

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00

高功率led散热基板发展趋势

些led模块在实际应用可组装在一整排呈线光源,或作成数组排列或圆形排列,再接合在一片散热基板上作为面光源。但对于许多终端的应用产品,迷你型投影机、车用及照明用灯源,在特定面积下所

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229903.html2011/7/17 23:06:00

led显示器件发展简史

自其它显示技术的激烈竞争,液晶、等离子体和真空荧光管显示器。这种竞争性激励led制造商进一步拓展他们的产品类型,并积极寻求led具有明显竞争优势的应用领域。此后led开始应用于文

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00

gan外延片的主要生长方法

v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

led芯片的制造工艺简介

理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

分析el背光驱动工作原理

底上喷涂了场致发光材料并夹在两层电极之间组成。el场致发光灯的 供应商可以通过使用不同的发光材料,比硫化锌、硫化钙或硫化锶,再掺杂其他成份镁、钐、铕或添加萤光染色剂等,来调整

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00

外延生长技术概述

为甲基或乙基化合物,:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led生产工艺简介

点形状,拉力。对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题,金(铝)丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀(钢嘴)选用、劈刀(钢嘴)运动轨迹等等。(下图是同等条件下,两种不同的劈刀压出的焊

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