站内搜索
样,人们很快发现它在便携式医疗设备、工业控制、车载设备、以及军事应用领域具有显著的优点。对于采用el技术生产的显示器,其屏幕对角线尺寸小至数英寸,大至18英寸,涵盖范围包括单色显示器
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00
明论坛上报道的硅衬底上蓝光led光输出功率为18 mW。5)zno衬底之所以zno作为gan外延的候选衬底,是因为他们两者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格失配度非常
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
屏手机,以及高像素拍照手机、大屏幕音影手机、多功能3g手机的盛行,预计每部手机所需led颗数高达12-18颗。因此,预计未来几年国内生产的手机所需led颗数高达60亿颗左右。国内封
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00
3)?;式中-etfe膜的透射率；?;u-利用系数；?;-每瓦led所发光通量,lm；?;l-亮度,cd/ m2；?;p-每平米etfe气枕表面所需led功率,W。(3)etfe
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229922.html2011/7/17 23:18:00
能led开发技术。虽 然白光led技术成熟度目前已发展到某个阶段,但毕竟单颗的led功率大约是0.1W左右,光通量会有所限制；换句话说,就是必须将多颗led经由整合 后,才能以「新一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00
光led亮度的数十倍,所以期望利用高功率白光led来代替萤光灯作为照明设备的话,有一个必须克服的困难就是亮度递减的情况。例如,白光led长时间连续使用1W的电力情况下,会造成连续使
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
片到焊接点的热阻抗可以降低9k/W,大约是传统led的1/6左右,封装后的led施加2W的电力时,led晶片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到500c,接合温度顶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229911.html2011/7/17 23:09:00
有的r(红色)、g(绿色)和b(蓝色)3色上,增加了追加了y(黄色)和c(青色)的5色滤光片的面板。在rgb基础上多出y色(黄色)的4色彩色滤光片的面板,和在rgb3色基础上增加
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229908.html2011/7/17 23:08:00
led焊接条件：(1)烙铁焊接：烙铁(最高30W)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229904.html2011/7/17 23:07:00
产品应用常识和性能检测如下:(1)烙铁焊接：烙铁(最高30W)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229901.html2011/7/17 23:06:00
