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底碳化硅衬底(美国的Cree公司专门采用sic材料作为衬底)的led芯片电极是l型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
d工程样品，2007年6月Cree宣布推出在350ma下最小光通量为100lm的高亮度led。图1 led大约每经过18到24个月提升一倍的亮度 研究显示，仅仅在美国，如果55
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230301.html2011/7/19 23:51:00
与外部量子效率(亦即取光效率)的变化特性，图中的r、￡、◆符号分别是日亚化学与Cree，以及21世纪光源计划小组的正式报告数据。由图可知发光波长愈短活性层的in含有量就有愈少的倾
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国Cree公司是采用sic衬底制造a1gainn超亮度led的全球唯一厂家，近年来a1galnn／sic芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
求。2.)led发光效率vs温升与寿命规格关键技术指针：其次检视Cree或osram led发布数据其芯片pn结工作温度 tj＜85℃方能确保工作寿命达50000小时，且芯片pn结
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232810.html2011/8/19 0:17:00
s)，genelite,欧司朗(osram)，gelcore,首尔半导体等，普瑞，韩国安萤(epivalley)等。1、Cree 着名led芯片制造商，美国Cree公司，产品以碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258578.html2011/12/19 11:01:16
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（sic）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pcb板材；便于光学设计；电源设计简化；封装形式多样；有利增强国产led竞争力。 这是Cree、nichia
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40
