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发光二极管封装结构及技术

LED是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

sed显示技术

sed的构造及其优势sed的全称是“surface-conduction electron-emitter display”,译成中文就是“表面传导电子发射显示”。下图是se

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

薄膜型电致发光显示(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示的高性能替代物而开

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LED背光与无彩色滤光片技术

当前平面显示产业蓬勃发展,显示技术日新月异,液晶显示(liquid crystal display,lcd)以量产规模而论,稳居平面显示技术主流地位,然而,其它显示技术,诸

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LED芯片的制造工艺简介

LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随

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氮化镓衬底及其生产技术

底用于氮化镓LED的商业化生产。它有许多突出的优点,如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等,但不足方面也很突出,如价格太高、晶体质量难以达到al2o3和si那么好、机

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gan外延片的主要生长方法

止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家:德

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LED外延片(衬底材料)介绍

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生

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LED与太阳能结合的照明技术

体发光二极管(LED)也是一种环保、节能、高效的固态电光源。在过去的一百多年中,照明光源经历了三个重要的阶段:白炽灯,荧光灯,hid灯。其中白炽灯是第一代光源,荧光灯是第二代光

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