站内搜索
西铁城电子株式会社新开发了世界第一次达到17,675lm的大光量led等，5系列11品种的照明用led。使一个led可提供光量的幅度变得更宽，还有可根据发光效率来选择的特征，并
https://www.alighting.cn/pingce/20111026/n478235239.htm2011/10/26 10:13:53
本标准规定了发光二极管(led)显示屏的机械、光学、电学等主要技术性能指标的分级和测试方法。本标准适用于各类发光二极管(led)显示屏(以下简称显示屏)的测试。
https://www.alighting.cn/news/20111025/109517.htm2011/10/25 18:33:39
学——独特的发光面设计，整体流明 值与3528相比提升率高达10% stp 3629系列产品享有全套的专利授权！ ★ 芯片 按客户要求，选择专利芯片即可提供授权文件
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248616.html2011/10/25 17:23:35
l测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
第一章主要讲述光、色彩和视觉，主要内容有：辐射和光、人眼视觉、发光效率的计算、表色系统、孟赛尔系统、显色性、照明质量、眩光及其评价方法、色彩效果、视觉环境等。
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/25/145422_78.htm2011/10/25 14:54:22
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射to和lo峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
led照明应用，为达到接近原有替代光源的亮度要求，通常会采取以“量”取胜的设计方式，即在单位面积设计大量的led发光元件，或是采取提升单一元件的发光效率进行设计，但如此一来，即造
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/25/1445_64.htm2011/10/25 14:04:05
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
