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led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mW 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mW的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mW 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

2048像素led平板显示器件的封装

国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mW 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mW的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mW 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262682.html2012/1/29 0:37:39

hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262681.html2012/1/29 0:37:36

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262677.html2012/1/29 0:37:20

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262676.html2012/1/29 0:37:17

基于tlc5902的led图像显示屏的驱动控制

d的驱动; ●电源电压为4.5v~5.5v; ●最大数据传输速度为15mhz; ●最大灰度极时钟频率为4 mhz; ●环境温度范围为-20℃~85℃; ●采用htqfp100脚封

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262666.html2012/1/29 0:36:47

工业级高信赖性led路灯系统评量指针

达30~40℃。若超过100~250W仍使用自然散热方法则如目前大部分产品,必须使用大量铝合金材料增加导热量和超大的热交换面积,体积重量15~30kg不等,低阶自然散热的定律为使用

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